7月15日，物联网工程学院“唯实讲坛”要闻第104讲在学院先进技术研究院A302室举行。北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、教育部长江特聘教授、国家杰出青年基金获得者沈波教授为师生们带来了一场以“氮化物宽禁带半导体的大失配异质外延和缺陷控制”为主题的精彩报告。60余名师生参加了本次活动。

沈波以氮化物宽禁带半导体研究的重要性以及国际影响为切入点，在分析氮化物半导体异质外延晶格失配的物理基础上，主要讨论两点创新研究突破，一是蓝宝石衬底上AlN、高Al组分AlGaN及其量子阱结构的外延生长和p型掺杂方法；二是Si衬底上GaN及其异质结构的外延生长和缺陷/应力控制。沈波教授指出，GaN基UV-LED所面临的关键科学技术问题及技术瓶颈，并提出使用AlN/AlGaN复合结构作为插入层，通过提供压应力带来解决位错弯曲和湮没消耗压应力的问题，显著提升了氮化镓外延的材料质量。针对以上问题，沈波重点介绍了其团队在该问题上所提出的解决方法并取得突破性成果，所获成果被国内外相关领域研究的课题组所引用，部分成果已实现了产业化的应用。

此次讲座逻辑严谨、内容充实、论述透彻，具有较强的专业性和针对性，增进了师生对氮化半导体更进一步的了解和认识，激发了对新材料半导体特性研究的兴趣和热情。学院今后将持续开展学术交流活动，围绕学科关心的前沿问题和关键技术问题邀请领域内的优秀专家开展要闻，不断拓展师生学术视野，营造良好的学术氛围。

活动现场

沈波主讲“氮化物宽禁带半导体的大失配异质外延和缺陷控制”